威盛高性能错误侦测与多阶ecc译码引擎技术的SSD控制器亮相美国2016 Flash Memory峰会

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TLC NAND Flash设备提供最佳错误侦测能力并具有提供三倍供货保障

2016年8月10日台北讯—威盛电子今日宣布在2016 Flash Memory峰会的818号展位上展示最新威盛产品—NVMe PCIe Gen III和SATA III SSD控制器。此次峰会召开时间为8月9日到11日,地点是在美国加州圣克拉拉的会议中心。

第二代威盛SSD控制器提供最好错误侦测技术,威盛 LDPC PLUS 多阶ECC译码引擎技术是其特色,它能确保其高通量性杜绝过热的问题。

“威盛错误侦测与多阶ecc译码引擎技术利用我们独特的双重硬件译码架构让我们数据的完整性和供货保障最大化。”威盛电子全球行销副总Richard Brown评价道:“我们的第二代威盛SSD控制器是对于需要高成本效益和高SSD性能计算设备的最佳选择。”

如果您会参加今年的2016 Flash Memory,一定要报名参加威盛带来的以下演讲:

High-Throughput LDPC Solution for Reliable and High Performance SSD
Forum E-21, Wednesday, August 10th, 8:30-10:50am

SSD Flash Management for 3D NAND Flash Memory
Forum M022, Wednesday, August 10th, 3:50-6:15pm

High Performance FTL Architecture for PCIe/NVMe SSDs
Session 302-D, Thursday, August 11th. 9:45-10-50am

想要了解更多威盛SSD控制器的详细信息,请访问: http://www.viatech.com/cn/silicon-cn/ssd-controllers/

想要了解更多关于本新闻稿的详细信息,请访问: http://www.viagallery.com/via-products/via-ssd-controllers-1/via-ssd-controllers/

想要了解更多关于2016 Flash Memory峰会的详细信息,请点击: http://www.flashmemorysummit.com/

关于威盛电子

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